|
Λεπτομέρειες:
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
|
| Όνομα: | Ιονικά ανταλλακτικά μοσχευμάτων βολφραμίου | Εφαρμογή: | Ημιαγωγός, ιονική εμφύτευση |
|---|---|---|---|
| Μορφή: | Σύμφωνα με τα σχέδια | Πυκνότητα: | 19.1g/cm3 |
| Πρότυπα: | ASTM B760-1 | Αγνότητα: | 99.95% |
| Υλικό: | Βολφράμιο | Επιφάνεια: | Έδαφος, που επεξεργάζεται στη μηχανή |
| Υψηλό φως: | 99.95% επεξεργασμένα στη μηχανή βολφράμιο μέρη,99.95% ιονικά εξαρτήματα εμφύτευσης,Ιονικά εξαρτήματα εμφύτευσης ημιαγωγών |
||
99.95% ιονικά εξαρτήματα εμφύτευσης ημιαγωγών επεξεργασίας συνήθειας βολφραμίου
Τα ιονικά μέρη εμφύτευσης βολφραμίου είναι μια νέα γενιά της υψηλής τεχνολογίας για την επεξεργασία υλικής επιφάνειας.
Η ιονική εμφύτευση είναι μια χαμηλής θερμοκρασίας διαδικασία μέσω της οποίας τα ιόντα ενός στοιχείου επιταχύνονται σε έναν στερεό στόχο, με αυτόν τον τρόπο μεταβαλλόμενος τις φυσικές, χημικές ή ηλεκτρικές ιδιότητες του στόχου. Η ιονική εμφύτευση χρησιμοποιείται στην κατασκευή συσκευών ημιαγωγών, την επεξεργασία επιφάνειας μετάλλων και την έρευνα Επιστημών των Υλικών.
Το ιόν implanter είναι ο βασικός εξοπλισμός στην παραγωγή του ολοκληρωμένου κυκλώματος. Όταν τις δέσμες ιόντων που πυροβολούνται επάνω στην επιφάνεια του ημιαγωγού και που κατατίθενται, η συγκέντρωση μεταφορέων και η διεξαγωγή δακτυλογραφούν αλλάζουν. Όντας κύρια στην άριστη τροποποίηση επιφάνειάς της, η ιονική εμφύτευση εφαρμόζεται ευρέως στο ημι υλικό διεύθυνσης, μέταλλο, κεραμική, high-molecular πολυμερές σώμα, η ιονική εμφύτευση κ.λπ. είναι ουσιαστική στην παραγωγή του ογκώδους ολοκληρωμένου κυκλώματος (ολοκληρωμένο κύκλωμα). Τα μέρη μολυβδαίνιου είναι συστατικά κλειδιά στο ιονικό σύστημα πηγής του ιόντος ημιαγωγών implanter στο ιονικό τμήμα εμφύτευσης ακτίνων. .molybdenum ιονισμού περιορισμών και ασπίδων για το ιόν implanter.
Προδιαγραφή και χημικές συνθέσεις
| Υλικό | Τύπος | Χημική σύνθεση (σε βάρος) |
| Καθαρό βολφράμιο | W1 | >99.95%min. Mo |
| Κράμα χαλκού βολφραμίου | WCu | 10%~50% $cu/50%~90% W |
| Βαρύ κράμα Tungten | WNiFe | Νι 1.5% - 10%, Φε, Mo |
| Βαρύ κράμα Tungten | WNiCu | Νι 5% - 9.8%, $cu |
| Rhenium βολφραμίου | WRe | 5,0% επαν |
| Βολφράμιο Moly | MoW50 | 0,0% W |
Πλεονεκτήματα των ιονικών μερών εμφύτευσης βολφραμίου
(1) το ιονικό στρώμα εμφύτευσης δεν έχει καμία προφανή διεπαφή με το υλικό μητρών, έτσι δεν υπάρχει καμία σπάσιμο ή αποφλοίωση προσκόλλησης στην επιφάνεια, και συνδέεται σταθερά με τη μήτρα.
(2) η ιονική εμφύτευση μπορεί ακριβώς να ελέγξει τη συγκέντρωση και τη διανομή βάθους των εμφυτευμένων ιόντων με τον έλεγχο της δόσης εμφύτευσης, της ενέργειας εμφύτευσης και της πυκνότητας ακτίνων.
(3) η ιονική εμφύτευση πραγματοποιείται γενικά στη θερμοκρασία δωματίου και το κενό. Η επεξεργασμένη στη μηχανή επιφάνεια κομματιών προς κατεργασία είναι αόρατη και χωρίς οξείδωση. Μπορεί να διατηρήσει την αρχική διαστατική τραχύτητα ακρίβειας και επιφάνειας. Είναι ιδιαίτερα κατάλληλο για την τελική διαδικασία των μεγάλης ακρίβειας μερών.
(4) η συμπιεστική πίεση μπορεί να διαμορφωθεί στο στρώμα επιφάνειας του κομματιού προς κατεργασία για να μειώσει τις ρωγμές επιφάνειας.
(5) καθαρίστε την υψηλή κενή και μη τοξική διαδικασία και τα υλικά υιοθετούνται, η θερμοκρασία επεξεργασίας είναι χαμηλή, και η γενική απόδοση του υλικού που αντιμετωπίζεται δεν επηρεάζεται.
Εφαρμογή: ιονικά ανταλλακτικά implanter βολφραμίου για τον ημιαγωγό
1. Μεγαλύτερα μέρη βολφραμίου για την ιονική εμφύτευση χρησιμοποιούνται στη βιομηχανία ημιαγωγών
μέρη προϊόντων 2.We tungstem για την ιονική εμφύτευση με την υψηλή πυκνότητα, την αγνότητα και την ακρίβεια και την ομοιογενή εσωτερική δομή
3. Τα μέρη βολφραμίου μας για την ιονική εμφύτευση είναι κατάλληλα για το μέτριο τρέχον implanter ακτίνων και το ισχυρό τρέχον implanter ακτίνων
4. Τα μέρη βολφραμίου για την ιονική εμφύτευση γίνονται σύμφωνα με το σχέδιο πελατών.
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Lisa Ma
Τηλ.:: 86-15036139126
Φαξ: 86-371-66364729
